“整體來看，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)版圖框架是最完整的。但具體分析來看，在區(qū)域發(fā)展和產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展兩個角度，國內(nèi)仍面臨較為明顯的發(fā)展結(jié)構(gòu)性不平衡現(xiàn)象。”11月2日, 中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路分會理事長葉甜春在2021年(第24屆)中國集成電路制造年會暨供應鏈創(chuàng)新發(fā)展大會上的演講中如此表示。

“過去12年，在國家科技重大專項、國家產(chǎn)業(yè)基金、相關政策的支持下，國內(nèi)集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈實現(xiàn)了跨越發(fā)展。體系和能力的建立，給產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來底氣和信心。”葉甜春說。

葉甜春亦表示，國內(nèi)半導體制造業(yè)產(chǎn)值在逐年提高，但在其中按照企業(yè)類型、地區(qū)分布等方面來看，都存在一定發(fā)展空間。 統(tǒng)計顯示，雖然國內(nèi)晶圓制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼，但來自內(nèi)資企業(yè)貢獻的銷售收入占比卻在大幅下降，從2016年的44%，下滑到2020年的27.7%;同期中國臺資企業(yè)在穩(wěn)步增長，外資企業(yè)在快速增長，從49.1%抬升到61.3%。

“這意味著行業(yè)在增長，內(nèi)資制造企業(yè)也在增長，但增長速度遠遠低于外資和中國臺資企業(yè)。這是值得引起關注的現(xiàn)象。”葉甜春表示。

從區(qū)域來看，也呈現(xiàn)較為明顯的結(jié)構(gòu)性差異表現(xiàn)。葉甜春介紹，“十三五”期間，按照國內(nèi)集成電路晶圓制造前十大(收入)企業(yè)地區(qū)分布情況來看，長三角地區(qū)始終占據(jù)最高比例，2020年占比44%;京津冀和環(huán)渤海地區(qū)在快速增長，提高到了14.1%;中西部也有較高比重，占據(jù)39.2%。但珠三角地區(qū)在2020年僅有2.8%的收入占比貢獻。

“珠三角地區(qū)的(晶圓)制造業(yè)剛起步，未來，大灣區(qū)制造業(yè)的發(fā)展任重而道遠，但我們也看到有充分的發(fā)展和伸展空間。”

關于上游核心的設備，葉甜春表示，2020年國內(nèi)半導體設備銷售收入達242.9億元，“十三五”期間年化增長率達到38.77%，正實現(xiàn)連續(xù)增長態(tài)勢。從本土新建產(chǎn)線本土設備中標率來看，目前約16.1%。但裝備業(yè)銷售規(guī)模仍然不夠，全球占比僅6%，還偏低。

葉甜春進一步表示，在半導體材料領域，國內(nèi)各大類材料已經(jīng)完成研發(fā)布局，細分產(chǎn)品不斷豐富。從國內(nèi)半導體材料業(yè)銷售情況來看，預計在2021年將達到388億元，其中，國內(nèi)的硅材料、電子氣體、工業(yè)化學品三大領域在整體材料銷售收入中占比較高、發(fā)展較好。但值得注意的是，在光掩膜、光刻膠兩大關鍵領域占比還很小。

“總體來說，在政策支持和產(chǎn)業(yè)積極發(fā)展背景下，整個集成電路產(chǎn)業(yè)體系已經(jīng)建立，但總體實力還不夠強，部分領域相對薄弱。”葉甜春說。

葉甜春認為，應該從系統(tǒng)應用、芯片設計、制造、裝備、材料等方面協(xié)同發(fā)展，要建立創(chuàng)新的良性生態(tài)。“尤其是制造領域，制造企業(yè)的用戶對裝備材料的帶動和支持非常大，但是現(xiàn)在的進展離我們要達到的目標遠遠不夠。”

對于裝備和材料、軟件工具(如EDA)等核心技術領域，葉甜春表示：“這也是國際博弈的長期焦點，對供應鏈以前產(chǎn)業(yè)間抱有幻想，但目前哪怕是形勢有所緩和、即便國內(nèi)自己做成本較高，也要堅持不懈去做。”

葉甜春還表示：“而要解決芯片卡脖子問題，國內(nèi)生態(tài)的解決思路不能依靠大而全，而是通過特色創(chuàng)新，建立局部優(yōu)勢，形成競爭制衡。開放合作必須堅持，但全球化的策略需要調(diào)整，關鍵是如何發(fā)揮中國市場潛力，通過創(chuàng)新合作，開拓新空間，形成一個合作共贏的全球化新生態(tài)。”

比如，具體來說，可以立足中國市場實現(xiàn)世界水平創(chuàng)新，在若干核心技術領域形成具有特色的創(chuàng)新技術和創(chuàng)新產(chǎn)品;同時探索產(chǎn)業(yè)新模式，即以系統(tǒng)和應用為中心，在目前設計+代工和集成制造(IDM)兩種模式基礎上，可能產(chǎn)生以融合為特征的新模式。

葉甜春認為，目前來看，制造業(yè)的尺寸微縮仍將繼續(xù)到2030年后，對物理極限的接近將導致技術難度劇增。這也將倒逼路徑創(chuàng)新，給FDSOI(全耗盡絕緣體上硅: 一種平面工藝技術)等技術帶來機遇。“FDSOI這一新路線的制造工藝難度遠低于FinFET(目前主流芯片制程工藝)，適合我們現(xiàn)在的能力。”

(經(jīng)濟觀察網(wǎng) 記者 李靖恒)