知情人士稱，中國計劃在2021到2025年的五年之內，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面對第三代半導體發展提供廣泛支持。其稱，下一個五年的經濟戰略包括向無線網絡到人工智能等技術領域投入約1.4萬億美元。
昨日下午，受相關消息影響，概念股乾照光電等相關標的直線拉升。
第三代半導體材料是功率半導體躍進的基石。
相對于傳統的硅材料，第三代半導體材料，即寬禁帶半導體材料，是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料，目前比較成熟的有碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等。其更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。
隨著物聯網、大數據和人工智能驅動的新計算時代的發展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應用等環節的產業鏈，全球新一輪的產業升級已經開始。
第三代半導體相關專利申請自2000年以來快速增長，美國早期領銜全球專利增長，而近些年，我國的申請量快速增長，超越美國。英飛凌、ST等全球功率半導體巨頭以及華潤微、中車時代半導體等國內功率廠商都重點布局在該領域的研究。
為了發展功率半導體，華為也開啟了對第三代半導體材料的布局。華為旗下的哈勃科技投資有限公司在2019年8月份投資了碳化硅龍頭山東天岳，持股10%。
以下為財聯社聯合星礦數據梳理各機構關于第三代半導體材料核心標的，其中碳化硅概念股包括臺基股份、露笑科技，氮化鎵概念股包括海特高新、揚杰科技、士蘭微、聞泰科技、三安光電、華潤微等。
